TechInsights:突破性技术 台积电最先进的嵌入式RRAM芯片(22ULL eRRAM)来了

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  TechInsights发文称,发现了台积电22ULL嵌入式RRAM(阻电存储器)芯片,低功耗无线物联网解决方案的领导者Nordic Semiconductor推出的突破性nRF54L SoC器件***用了台积电的22ULL嵌入式RRAM (eRRAM)。

  TechInsights拆解了Fanstel EV- BM 15 EV Kit,找到了Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15器件。自2019年以来,台积电提供了40纳米RRAM平台,现在的22纳米RRAM是台积电的第二代eRRAM。这是业界首个拥有最先进的22纳米CMOS技术的RRAM,可与嵌入式STT-MRAM相媲美。

  eRRAM内存块密度为17.5 bit/ µm2,位线方向的RRAM层宽度为170 纳米。RRAM存储层放置在metal 3上。ReRAM使用电阻作为开关的基础。与STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新兴存储器件一起,ReRAM是取代嵌入式闪存(eFlash)的主要竞争者之一。ReRAM不受辐射的影响,具有很高的电磁耐受性,并且没有泄漏问题,因为它不是基于电荷的器件。

TechInsights:突破性技术 台积电最先进的嵌入式RRAM芯片(22ULL eRRAM)来了
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  ReRAM (RRAM)产品和技术路线图显示台积电22ULL ReRAM

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